图四InN对多硫化物催化转换的性能 （a，再迎b）具有InN和SuperP电极的对称电池的CV曲线（a）和EIS曲线（b）。

窗口受邀出版专著Nanophotonics:ManipulatingLightwithPlasmons。或年后现（b）NCOM体系的模式体积与银纳米立方边长的关系。

连涨（c）不同的约化振子强度的f对应的银纳米立方体内的归一化吸收谱。2005年入选中科院百人计划，首跌任物理研究所研究员。如果混合系统进入严格的弱耦合或强耦合状态，再迎则这种极大的辐射增强将会减弱，这正是处于中等耦合强度区域的独特之处。

窗口2009年至2014年任中科院物理研究所纳米物理与器件实验室主任。在国际著名科学杂志发表论文180余篇，或年后现被SCI杂志引用12000余次，单篇引用超过100次的33篇，h因子54。

2014年任武汉大学物理科学与技术学院教授、连涨副院长，武汉大学高等研究院副院长。

进一步的实验证明，首跌改变银纳米立方可以实现对于Rabi劈裂大小和模式体积大小的调控。再迎文献链接：Space-ConfinedGrowthofCsPbBr3FilmAchievingPhotodetectorswithHighPerformanceinAllFiguresofMerit(Adv.Funct.Mater.,2018,DOI:10.1002/adfm.201804394)本文由材料人编辑部abc940504编译整理。

该工作证实了限域生长策略有助于改善CsPbBr3薄膜质量，窗口所得薄膜在光电器件领域具有更多潜在的应用。因此，或年后现利用溶液策略制备具有低陷阱态密度和高载流子迁移率的CsPbBr3多晶膜并将其应用于高性能PD仍然存在着严峻的挑战。

图3前驱体比例调控对结构、连涨光学及电子性质的影响a)XRD图谱。图2传统CsPbBr3薄膜和CsPbBr3IO薄膜的结构、首跌电子性能比较a)XRD图谱。